KEMET 的 C0G 电介质具有高达125°C 的工作温度，被认为是“稳定的”。

电子元件、组件和材料协会 (EIA) 将 C0G 电介质定性为 I 类材料。此类别的组件具有温度补偿功能，适用于谐振电路应用或需要 Q 和电容特性稳定性的应用。C0G 的电容相对于时间和电压没有变化，电容相对于环境温度的变化可以忽略不计。从 -55°C 到 +125°C，电容变化限制在 ±30 ppm/ºC。

• −55°C 至 +125°C 工作温度范围
• 无铅 (Pb)，符合 RoHS 和 REACH 标准
• EIA 0201、0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、1825、2220 和 2225 外壳尺寸
• 直流电压额定值为 10 V、16 V、25 V、50 V、100 V、200 V 和250V
• 电容范围从 0.5 pF 到 0.47 μF
• 可用电容容差为 ±0.10 pF、±0.25 pF、±0.5 pF、±1%、±2%、±5%、±10% 和 ±20%
• 无压电噪声
• 低的 ESR 和 ESL
• 高热稳定性
• 高纹波电流能力
• 线路频率和 MHz 范围内的良好电容解决方案
• 相对于施加的额定直流电压，电容没有变化
• 相对于 -55°C 至 +125°C 的温度，电容变化可忽略不计
• 无电容随时间衰减
• 非极性装置，较大限度地减少安装问题
• 100% 纯哑光镀锡端接饰面，可提供良好的可焊性
• SnPb 镀层端接选项可应要求提供（MIX. 5% Pb）

1.DWV 是电容器在短时间内可以承受（存活）的电压。 它超过了电容器的标称和连续工作电压。

2.在以下条件下测得的电容和损耗因数 (DF)：

如果电容 ≤ 1,000 pF，1 MHz ±100 kHz 和 1.0 Vrms ±0.2 V ；

如果电容 > 1,000 pF，则为 1 kHz ±50 Hz 和 1.0 Vrms ±0.2 V。

3.要获得 IR 限值，请将 MΩ-µF 值除以电容并与 GΩ 限值进行比较。 选择两个限制中较低的一个。

在以下条件下测量的电容和耗散因数 (DF)：

注意：测量电容时，确保设置的电压水平保持恒定很重要。 HP4284 和 Agilent E4980 具有称为自动电平控制 (ALC) 的功能。 ALC 功能应该切换到“ON”。

典型应用包括关键时序、调谐、需要低损耗的电路、脉冲电路、大电流、去耦、旁路、滤波、瞬态电压阻抑、阻塞和能量存储。