ProE-Vap 200 输送系统专为原子层沉积 (ALD) 和化学气相沉积 (CVD) 工艺中使用的固体前驱体而设计。它能为当前和未来技术节点使用的各种固体材料提供稳定的质量流量。固体前驱体由于蒸汽压力低、热稳定性有限，很难稳定地输送到沉积室中。与其他蒸发器相比，ProE-Vap 输送系统能在更低的温度下更稳定地输送固体前驱体，从而降低 ALD 和 CVD 的拥有成本。大限度地减少了化学浓度漂移，从而提高了晶圆产量，减少了工具停机时间。自 2008 年以来，ProE-V 已在大批量生产环境中证明了其高可靠性和强大的性能。它支持输送制造高度复杂的微电子器件所需的各种无机和过渡金属前驱体。提供多种配置，可安装在不同的 OEM 工具套件上。

填充能力比 ProE-Vap 100 高出七倍多

更高的流量应用，包括间歇式熔炉

减少更换源的频率

创新设计的安瓿用于固体前驱体的输送

与传统蒸发器相比，可在较低温度下提供更高的质量流量

支持气动和手动阀门选项

整体性能高，在整个汽化器使用寿命期间流量始终如一

经证明可用于半导体应用中的多种固体前驱体，并可用于 LED 等其他新兴技术

可有效利用前驱体，大限度地减少过热导致的分解

与多个 OEM 工具兼容；支持开发型大批量晶片处理

降低拥有成本

材料汽化表面积增加 6 倍

托盘可改善材料的热传导，从而提高热均匀性

载气流穿过固体表面，提高了汽化材料的拾取率

产地：美国

Max温度：200 °C（392 °F）

Max压力：工作温度下 100 psig

外形尺寸（高×宽）：331.34 × Ø243.84 mm（13.04 × 9.60 英寸）

进气口位置：中轴

接头类型：1⁄4 " 内螺纹 VCR

高度：331.34 mm（13.04 英寸）

燃气出口位置：偏离中轴 3.54 "

接头类型：1⁄2 " 外螺纹 VCR

高度：328.31 mm（12.93 英寸）

材质：316L SS

表面处理：≤ 10 Ra

载气：UHP He（氦气） UHP Ar（氩气） UHP N₂（氮气）

顶气：5 psi He

原子层沉积--化学气相沉积、高κ电容器和栅极电介质、金属屏障和电极、无氟钨 (FFW)