SmartMatrix 1500XP 在移动和商用 DRAM、图形内存 (GDDR)、高带宽内存 (HBM) 和新兴内存设备上提供 300 毫米全晶圆接触测试。 该平台专为支持快速设计斜坡和产品路线图而开发，扩展了经过验证的 Matrix 架构，以解决增加的探针卡并行性问题，单次触地时每个晶圆可多达1536 个站点。它使用 FormFactor 的端接测试仪资源扩展 (TTRE) 技术在 x16 TRE 共享组信号上支持更快的测试速度/时钟速率，从 125 MHz 到 200 MHz。 SmartMatrix 1500XP 能够在 -40°C 至 160°C 范围内测试汽车半导体高温要求。

SmartMatrix 1500XP 的高性能和较短的交付时间为当今的 DRAM 和存储设备实现了产量优化和更快的上市时间。

DRAM测试更高的并行度、更高的效率和更低的成本

• 通过使用 ATRE 在一次着陆时同时测试 1500 多个 DUT 来提高吞吐量
• 在不影响信号保真度的情况下将测试速度从 125 MHz 提高到 200 MHz

具有顶部位置和性能的坚固 3D MEMS 弹簧

• 可扩展的 3D MEMS MicroSpring 技术支持灵活的焊盘布局和接触性能
• 使接触垫几何收缩与技术节点过渡到 1x、1y 和 1z nm 节点一致
• 具有大 3D 弹簧横截面的载流能力

良好的热性能和设计灵活性

• 具有各种 CTE 的全晶圆接触器基板，针对单温度和双温度设计进行了优化
• 通过在单一温度设计上实现 50% 以上的保温时间减少来提高测试单元效率
• 采用晶圆后技术的 FormFactor 3D MEMS MicroSpring 可实现汽车要求的 160C 测试

生产正常运行时间长

• 在批量生产环境中始终实现超过 95% 的正常运行时间

易用性和可维护性

• 使用测试单元上的探针卡进行实时平面度调整和优化功能

• 现场单弹簧维修和探头更换能力可减少服务事件的时间损失并提高设备效率