Powerex 碳化硅 MOSFET 模块设计用于高频应用。每个模块由六个 MOSFET 碳化硅晶体管组成。所有组件和互连都与散热基板隔离，提供简化的系统组装和热管理。

• 接点温度：175°C
• 良好的Rds(on)
• 高速开关
• 低开关损耗
• 低电容
• 低驱动要求
• 高功率密度
• 隔离底板
• 氮化铝隔离
• Wolfspeed 第三代芯片

大带隙能量和高场击穿是碳化硅 (SiC) 的两个主要特性，碳化硅 (SiC) 已被用于创建具有零反向恢复电荷、降低开关损耗和更高温度工作机会的新一代功率半导体。

Powerex 将供应商的 SiC MOSFET 和肖特基势垒二极管封装到高性能全 SiC 模块中，或与高频硅 IGBT 封装到混合 Si/SiC 模块中。新的薄型分离式双封装具有低电感和适用于高热循环应用的铜或 AlSiC 基板。

节能电力系统

高频型电力系统

高温电力系统