Marana-X 是 Andor 为直接 EUV 和软 X 射线应用量身定制的开创性 sCMOS 平台。手工打造，提供好的性能和多功能性 Marana-X 在不到 50 毫秒的时间内读取 4.2 兆像素高分辨率阵列，同时保持低的读取噪声；比类似分辨率的 CCD 探测器快数百倍。

与现有的 CCD 相比，新型 Marana-X sCMOS 在 EUV-1 keV 能量范围内具有更高的量子效率。 Marana-X 、的量子效率与其CMOS 技术相得益彰，可通过 74 fps 全帧快速实现实验时间的更小化和更大的数据吞吐量。

• 高达 99% 的 QE 和低噪声：适合光不足测量的最大信噪比。 更快地实现高对比度。
• 真空冷却至 -45℃：非常微弱的信号需要更低的本底噪声和更长的曝光时间：不要受到相机热噪声的限制
• 2 百万像素：高像素分辨率，在扩展视野范围内保持图像清晰度。
• 未镀膜的背照式 sCMOS：Marana-X 采用了无涂层背照式 sCMOS 传感器，可实现EUV - 软 X 射线检测。
• 扩展动态范围 (EDR) 模式：在整个动态范围内“一次定量”，在同一图像中捕获高强度和低强度图像。
• 7% 线性度：在整个信号范围内的定量精度。
• 标配风扇和液体冷却：液体冷却可实现更大灵敏度

传感器类型：背照式科学 CMOS

阵列尺寸：2048 (W) x 2048 (H)

4.2 百万像素

像素尺寸：6.5 x 6.5 μm

图像区：13.3 毫米 x 13.3 毫米

（对角线 18.8 毫米）

读出模式：滚动快门

像素读出率： 310 MHz（快速高动态范围模式，16 位）

180 MHz（低噪声模式，12 位）

 量子效率：高达 99%

读取噪声 (e-) 中值：1.6 e-（快速高动态范围模式，16 位）

1.2 电子-（低噪声模式，12 位）

传感器工作温度

风冷：-25°C（max.30°C 环境温度）

水冷/液冷：-45°C（@16°C 水）

暗电流

风冷 (@-25°C) ：0.15 e-/像素

水冷/液冷 (@ -45°C) ：0.10 e-/像素

有效区域像素井深度：

55 000 e-（快速高动态范围模式，16 位）

1800 e-（低噪声模式，12 位，位深度受限）

动态范围：34 000:1（快速高动态范围模式，16 位）

数据范围：16 位（快速高动态范围模式）

12 位（低噪声模式）

线性：> 99.7%

PRNU：< 0.5% (@半光范围)

感兴趣区域 (ROI) ：用户可定义，1 像素粒度，

Min.尺寸 9（宽）x 1（高）

预定义 ROI：1608 x 1608、1200 x 1200、1024×1024、512×512、128×128

像素合并（在 FPGA 上）：2 x 2、3 x 3、4 x 4、8 x 8（也提供用户可定义的合并）

真空兼容性：>10 mbar

I/O

O：Fire Row 1, Fire Row n, Fire All, Fire Any, Arm

I：外部

触发模式：内部、外部、外部启动、外部曝光、软件

软件曝光事件：开始曝光 - 结束曝光（第 1 行），开始曝光 - 结束曝光（第 n 行）

图像时间戳精度： 25 ns

PC 接口：USB 3.0和 CoaXPress

安装法兰：DN100CF (ConFlat) 6” O.D.固定法兰提供 M8 或 5/16 UNC 螺纹孔

原位射线照相

断层扫描

光谱学

高光谱成像

HHG 源表征

EUV 投影仪

EUV 光刻